InGaAsの探知器の破片SCのタイプが付いている1100nm-1650nm小さい区域のInGaAsフォトダイオード
1100nm-1650nm小さい区域のInGaAsフォトダイオードはInGaAsの探知器の破片を使用し、低い電力の消費を特色にする、
小さい暗電流、高い感受性、大きい直線性、コンパクト デザインおよび小さい容積。
装置はアナログ・システムのためのCATVの受信機、力の検出装置および光シグナルの受信機で最も一般的である。
絶対最高評価
| 変数 | 記号 | 評価 | 単位 |
| 保管温度 | Tstg | ~40 〜 +100 | °C |
| 実用温度 | 上 | -40 〜 +85 | °C |
| 最高の入力パワー | Pmax | +4 | dBm |
| 作動の電圧 | Vop | 5 | V |
| PDの逆電圧 | VR （PD） | 25 | V |
| はんだ付けする臨時雇用者 | - | 260 | °c |
| はんだ付けする時間 | - | 10 | s |
光学及び電気特徴
| 変数 | 記号 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 | テスト条件 |
| 波長範囲 | λ | 1100 | - | 1650 | nm | - |
| 出力領域 | P | -70 | - | +4 | dBm | V=5V |
| 活動的な直径 | 広告 | 75 | um | - | ||
| 暗電流 | ID | - | 0.2 | 0.5 | nA | - |
| Responsivity | R | - | 0.85 | 0.90 | A/W | 入=1310 nm |
| 0.90 | 0.95 | 入=1550 nm | ||||
| 頻度帯域幅 | Bw | 1 | 2000年 | MHz | ||
| 周波数応答 | Fr | - | 土0.5 | - | dB | |
| キャパシタンス | Ct | - | 0.65 | 0.75 | Pf | - |
| 応答時間 | Tr | 0.1 | - | ns | - | |
| リターン・ロス | R1 | -45 | dB | |||
| cso cso | - | - | -70 | - | dBc | 45~860MHz |
| CTB CTB | - | - | -80 | - | dBc | 45~860MHz |
HicorpwellはであるInGaAsの同軸フォトディテクターのダイオード モジュール（アナログの光学活動的な容器ローザ プラグを差し込むため）の専門のプラグ
中国の製造業者。私達はまた蝶半導体レーザー、InGaAsの同軸ピグテール レーザーの探知器ダイオード、同軸ピグテールのダイオード レーザー装置を提供する
そしてもっと。
5.PDピン アサイン:
