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1.25Gb/S SC/APCのコネクター8mW (Iop=40~42mA)の10mW (Iop=45~47mA)ピグテールの半導体レーザー

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1.25Gb/S SC/APCのコネクター8mW (Iop=40~42mA)の10mW (Iop=45~47mA)ピグテールの半導体レーザー
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特徴
仕様
タイプ: 1550nm FP及びDFBの同軸半導体レーザー
波長: 1550 NM
最高。逆電圧: 15 (PD)
前方電圧: タイプ:1.1mA 最高:1.6mA
出力の範囲: 5.0MW (CW FP)、10mW (CW DFB)
調節帯域幅(FP): 1.25-2.5 GHz (2mW)
調節帯域幅(DFB): .25-4.25 GHz (2mW)
レーザー: DFB及びFP
分離(ISO): 30dB
ハイライト:

10mWピグテールの半導体レーザー

,

1550nmピグテールの半導体レーザー

基本情報
起源の場所: 中国
ブランド名: HICORPWELL
証明: ISO9001;2015
モデル番号: 1550nm 1.25-4.5G FP及びDFBの同軸半導体レーザー
お支払配送条件
パッケージの詳細: DFBの同軸パッケージ
支払条件: ウェスタン・ユニオン、L/C、T/T
供給の能力: 1週あたりの2000 PC
製品の説明

1.25Gb/s SC/APCのコネクターの/8mW (Iop=40~42mA)の10mW (Iop=45~47mA)ピグテールの半導体レーザー

 

 

1. 簡潔な説明:

 

InGaAS PDは単一モード繊維のピグテールにつながれる。低雑音は、積み過ぎ耐久性があるPD装置をOTDRsにとって理想的にさせる、

ライン受信機および他の光源レベルの検出信号伝達塗布。

 

装置は光ファイバー作用面積のサイズと互換性があるあらゆるサイズとpigtailedできる。

ピグテールは3umから100ミクロンまでコア サイズで及ぶ。1メートルは標準的な長さである、

しかし長さかコネクターの終了は指定されるかもしれない。

 

ピグテールはPCまたはAPCの光沢が付いているST、FC、SCおよびLCのコネクターによって終わるかもしれない。

 

 

2. 光学および電気特徴(Tc=25℃

 

変数 記号 Min. タイプ 最高。 単位 テスト条件
境界の流れ Ith 4   15 mA CW
前方電圧 Vop   1.2 1.5 V CW、If=Iop
光学出力電力 Pf 1   4 MW CW、If=Ith+20mA
中心の波長 FP λc λc-20 λc λc+20 nm λc=1270~1650
DFB λc λc-10 λc λc+10 nm
CWDM λc λc-3 λc λc+3 nm
上昇/落下の時間(10~90の) % Tr/Tf     0.4 nS If=Ith、Po=Pf (10-90) %
モニターの流れ Im 100   1000 uA CW、P0= Pf
キャパシタンス CPD   10 15 PF VRD=5V
暗電流 ID     1 nA VRD=5V
側面モード抑制の配給量 SMSR 35 40   dB CW、Po=5mW
分離 ISO 30     dB  

 

繊維力の設計からの顧客の要求に従って;サイド モード抑制の比率はDFBレーザー モジュールにだけ適用する。

 

FPレーザーの波長範囲±20nm;DFBの半導体レーザーの波長範囲±10nmのCWDMの半導体レーザーの波長範囲±3nm

 

繊維力の設計からの顧客の要求に従って;サイド モード抑制の比率はDFBレーザー モジュールにだけ適用する。

 

3. 特徴

 

FP及びDFBの同軸包装

作り付けInGaAs/PINのモニター

高い信頼性、長い操作の生命

 

 

4. 絶対最高評価(Tc=25℃

 

変数 記号 評価 単位
動作電流 (LD) Ith+20 mA
逆のVolatage Vr (LD) 2.0 V
動作電流 (PD) 2 mA
逆電圧 Vr (PD) 15 V
実用温度 Topr -40~+85
保管温度 Tstg -40~+85
溶接の温度 Tsld 260/10 /S

 

 

5. 適用

 

光トランスミッタまたは日付信号

アナログ信号の光トランスミッタ

Bidi光学モジュールおよび光学トランシーバー

試験装置

 

6. LD PinASSIGNMENT

 

1.25Gb/S SC/APCのコネクター8mW (Iop=40~42mA)の10mW (Iop=45~47mA)ピグテールの半導体レーザー 0

 

7.Purchase情報LD-XXX-XXXX-XXX同軸パッケージの半導体レーザー

 

 

— X X X — X X X X — X X X
パッケージのタイプ タイプconncetor

パッケージ

シリーズ

タイプLD 波長

PD Conn

ectorピン

日付率 アイソレーター A&V ROHS
繊維 Rec

P:繊維

 

R:容器

F:FC/UPC

S:SC/UPC

T:ST/PC

FA:FC/APC

SA:SC/APC

N:いいえ

:FC-1

B:FC-2

C:FC-3

D:SC

E:ST

1:タイプ1

2:タイプ2

3:タイプ3

4:タイプ4

5:タイプ5

いいえ:R

D:DFB LD

 

F:FP LD

31:1310nm

55:1550nm

51:1510nm

53:1530nm

57:1570nm

05:0.5mW

10:1.0mW

20:2.0mW

30:3.0mW

40:4.0mW

:タイプA

B:タイプB

C:タイプC

1:1.25Gb/s

2:2.5Gb/s

G:アイソレーター

 

いいえ:何も

R:パスROHS

 

いいえ:何も

 

部品番号はlasetがダイオードLDのFPの波長である1310nmのピンであるタイプAの力である1mWであることをPFA2-F3110A-1GRのそれ意味するである。

 

1.25Gb/S SC/APCのコネクター8mW (Iop=40~42mA)の10mW (Iop=45~47mA)ピグテールの半導体レーザー 1

 

1.25Gb/S SC/APCのコネクター8mW (Iop=40~42mA)の10mW (Iop=45~47mA)ピグテールの半導体レーザー 2

1.25Gb/S SC/APCのコネクター8mW (Iop=40~42mA)の10mW (Iop=45~47mA)ピグテールの半導体レーザー 31.25Gb/S SC/APCのコネクター8mW (Iop=40~42mA)の10mW (Iop=45~47mA)ピグテールの半導体レーザー 4

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