InGaAsの探知器の破片SCのタイプが付いている1100nm-1650nm小さい区域のInGaAsフォトダイオード
1100nm-1650nm小さい区域のInGaAsフォトダイオードはInGaAsの探知器の破片を使用し、低い電力の消費を特色にする、
小さい暗電流、高い感受性、大きい直線性、コンパクト デザインおよび小さい容積。
装置はアナログ・システムのためのCATVの受信機、力の検出装置および光シグナルの受信機で最も一般的である。
絶対最高評価
変数 | 記号 | 評価 | 単位 |
保管温度 | Tstg | ~40 〜 +100 | °C |
実用温度 | 上 | -40 〜 +85 | °C |
最高の入力パワー | Pmax | +4 | dBm |
作動の電圧 | Vop | 5 | V |
PDの逆電圧 | VR (PD) | 25 | V |
はんだ付けする臨時雇用者 | - | 260 | °c |
はんだ付けする時間 | - | 10 | s |
光学及び電気特徴
変数 | 記号 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 | テスト条件 |
波長範囲 | λ | 1100 | - | 1650 | nm | - |
出力領域 | P | -70 | - | +4 | dBm | V=5V |
活動的な直径 | 広告 | 75 | um | - | ||
暗電流 | ID | - | 0.2 | 0.5 | nA | - |
Responsivity | R | - | 0.85 | 0.90 | A/W | 入=1310 nm |
0.90 | 0.95 | 入=1550 nm | ||||
頻度帯域幅 | Bw | 1 | 2000年 | MHz | ||
周波数応答 | Fr | - | 土0.5 | - | dB | |
キャパシタンス | Ct | - | 0.65 | 0.75 | Pf | - |
応答時間 | Tr | 0.1 | - | ns | - | |
リターン・ロス | R1 | -45 | dB | |||
cso cso | - | - | -70 | - | dBc | 45~860MHz |
CTB CTB | - | - | -80 | - | dBc | 45~860MHz |
順序情報:
X | — X | X | R | — X | X | X | |
タイプ コネクター | 感光性表面(um) | PD構成 | ROHS | アダプター | 技術 | 受信機の波長 | |
:FC-1 B:FC-2 C:FC-3 D:SC E:ST |
55:φ55 60:φ60 70:φ70 3H:φ300 5H:φ500 1K:φ1000 … |
:タイプA B:タイプB C:タイプC |
R:パスROHS
|
B:陶磁器のフェルールが付いている金属 C:陶磁器なしのplaticアダプター D:陶磁器のplaticアダプター |
G:接着剤のタイプ N:レーザ溶接 |
私:1550nmフィルターを使って N:900-1650n m |
HicorpwellはであるInGaAsの同軸フォトディテクターのダイオード モジュール(アナログの光学活動的な容器ローザ プラグを差し込むため)の専門のプラグ
中国の製造業者。私達はまた蝶半導体レーザー、InGaAsの同軸ピグテール レーザーの探知器ダイオード、同軸ピグテールのダイオード レーザー装置を提供する
そしてもっと。
5.PDピン アサイン: