同軸レーザー モジュールの繊維光学のピグテール850nm VCSEL Pigtailedの半導体レーザーMM50/125um
1. 特徴
FP及びDFBの同軸包装
作り付けInGaAs/PINのモニター
高い信頼性、長い操作の生命
2. 適用
光トランスミッタまたは日付信号
アナログ信号の光トランスミッタ
Bidi光学モジュールおよび光学トランシーバー
試験装置
3. 絶対最高評価（Tc=25℃）
| 変数 | 記号 | 評価 | 単位 |
| 動作電流 | （LD） | Ith+20 | mA |
| 逆電圧 | Vr （LD） | 2.0 | v |
| 動作電流 | （PD） | 2 | mA |
| 逆電圧 | Vr （PD） | 15 | V |
| 実用温度 | Topr | -40~+85 | ℃ |
| 保管温度 | Tstg | -40~+85 | ℃ |
| 溶接の温度 | Tsld | 260/10 | ℃/S |
4. 光学および電気特徴（Tc=25℃）
| 変数 | 記号 | Min. | タイプ | 最高。 | 単位 | テスト条件 | |
| 境界の流れ | Ith | 4 | 15 | mA | CW | ||
| 前方電圧 | Vop | 1.2 | 1.5 | V | CW、If=Iop | ||
| 光学出力電力 | Pf | 1 | 4 | MW | CW、If=Ith+20mA | ||
| 中心の波長 | FP-LD | λc | λc-20 | λc | λc+20 | nm | λc=1270~1650 |
| DFB-LD | λc | λc-10 | λc | λc+10 | nm | ||
| CWDM LD | λc | λc-3 | λc | λc+3 | nm | ||
| 上昇/落下の時間（10~90の） % | Tr/Tf | 0.4 | nS | If=Ith、Po=Pf （10-90） % | |||
| モニターの流れ | Im | 100 | 1000 | uA | CW、P0 = Pf | ||
| キャパシタンス | CPD | 10 | 15 | PF | VRD =5V | ||
| 暗電流 | ID | 1 | nA | VRD =5V | |||
| 側面モード抑制の配給量 | SMSR | 35 | 40 | dB | CW、Po=5mW | ||
| 分離 | ISO | 30 | dB | ||||
繊維力の設計からの顧客の要求に従って;サイド モード抑制の比率はDFBレーザー モジュールにだけ適用する。
FPレーザーの波長範囲±20nm;DFBの半導体レーザーの波長範囲±10nmのCWDMの半導体レーザーの波長範囲±3nm。
