分散形フィードバック（DFB）のレーザー対VCSELs

分散形フィードバック（DFB）のレーザー対VCSELs

従来の端出る装置、分散形フィードバック（DFB）のレーザーのような、装置の端に開きからの進水ライト。

端エミッター内の横のlasingキャビティを作成するためには、これらの装置はマルチステップ水晶裂くプロセス置かれなければならない。このプロセスは装置のすべての個々の装置か列でそれらがレーザーとしてテストすることができる前に完了しなければならない。

それに対して、VCSELは単一プロセスで育つ高反射力ミラーの縦積み重ねによって形作られる。30の個々の半導体の層多数としてVCSELの構造、厚い装置の表面からの円の開き5から直径の25を通してライトを縦にµm出す10だけµmの内で積み重ねられるかもしれない。VCSELsはウエファーの段階で十分に間、まだテストすることができる。

端エミッターの複雑さと対照をなして、VCSEL装置のための光学小組立部品の条件は簡単、簡単である。本来円および低い広がったビーム特徴は鋭い焦点を、回折の限られた性能および一貫して球形の点サイズの近くで優秀可能にする。

その結果、VCSELsは比較的安価な在庫球レンズの使用によって更に改善することができるかなりより高い直接つながれた力を作り出すことができる。繊維の条件に一致させるためにVCSELsのビーム特徴が調整することができるので付加的なレンズはビーム形づくか、または直線の調節のために除去することができる。

DFBの半導体レーザーが付いている付加的な問題は信号の高められた光学雑音に終って繊維からのライトのバック反射への感受性である。レーザーに再びイメージ投射から反射光を防ぐためにその結果、光学アイソレーターは頻繁に必要とされる。それに対して、VCSELsはこれらの反射により少なく敏感であるように設計することができる。OSAの設計の簡単な修正は、ビームdefocusまたは計画的な傾きのような、事実上反射の騒音を除去する。

• 縦キャビティ表面出るレーザー（VCSELs）に他のタイプのレーザー上のさまざまな利点がある。

• これらは下記のものを含んでいる:

• *アドレス指定可能な配列の設計柔軟性を提供する表面の放出、
  * lasing波長の低温の依存
  *優秀な信頼性
  *ウエファー レベルの製造工程

• 縦キャビティ表面出るレーザー（VCSELs）の適用

• ●TDLASの測定のガス システム。
  ●顔認識。
  ●Lidar.
  ●データ センタ、雲の計算。