作り付けのInGaAsのモニター フォトダイオード技術の有無にかかわらず光学アイソレーター1550nm DFBの半導体レーザーモジュール
1550nm DFBの半導体レーザーモジュールはパッケージの中で統合される作り付けのInGaAsのモニター フォトダイオードおよび光学アイソレーターを備えている。
その直接調節帯域幅は1.8GHzより大きい。この半導体レーザーは光学ネットワークの適用のために適している
移動体通信システムおよびCATVシステムのような。
特徴:
適用:
指定:
標準的な出力2mWまたは高出力力5mWのダイオードは利用できる。
絶対最高評価
| 変数 | 記号 | Min. | 最高。 | 単位 | テスト条件 |
| 保管温度 | Tstg | -40 | 100 | ℃ | - |
| 実用温度 | 上 | -40 | 85 | ℃ | - |
| 前方現在（LD） | （LD） | 150 | mA | ||
| 逆電圧（LD） | Vr （PD） | 2 | V | ||
| 前方現在（PD） | （LD） | 2 | mA | ||
| 逆電圧（PD） | Vr （PD） | 15 | V | ||
| はんだ付けする臨時雇用者 | - | - | 260 | ℃ | - |
| はんだ付けする時間 | - | - | 10 | S | S |
光学及び電気特徴
| 変数 | 記号 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 | テスト条件 |
| 評価される力 | Po | 6 | 8 | MW | Ith+40mA | |
| 境界の流れ | Ith | 5 | 10 | mA | CW | |
| 作動の操作 | 45 | 55 | mA | CW、P=Po | ||
| 前方電圧低下 | Vop | - | 1.1 | 1.5 | V | CW、Ith+40mA |
| セントの波長 | λc | 1540 | 1550 | 1560 | nm | -3dB |
| スペクトルの幅 | Δλ | - | 0.2 | nm | -20dB | |
| サイド モード抑制の比率 | SMSR | 35 | - | dB | - | |
| 帯域幅（3dB） | Bw | - | 2.5 | GHz | - | |
| モニターの流れ | Im | 0.1 | 0.9 | mA | CW、Ith+40mA | |
| モニターの暗電流 | ID | - | - | 0.1 | uA | 5V |
| 相対的な強度の騒音 | RIN | - | -155 | -150 | dB/Hz | CW、25℃ |
| RFの帯域通過平坦 | BF | ±1.0 | dB | If=Iop、45MHz-2500MHzのT=25 °C | ||
| 第三次のゆがみ | IMD3 | - | -55 | - | dBc | 2つの調子テスト、 |
| 光学分離 | ISO | 30 | 40 | - | dB | 25℃ |
